### **Specifications:**
- **Part Number:** IMT2AT108  
- **Manufacturer:** ROHM  
- **Type:** Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min)  
- **Built-in Resistors:**  
  - R1 (Base Resistor): 10kΩ  
  - R2 (Base-Emitter Resistor): 10kΩ  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Miniature Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Digital Transistor:** Integrates bias resistors for simplified circuit design.  
- **Compact SOT-23 Package:** Suitable for space-constrained applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **High Current Gain (hFE):** Provides stable amplification characteristics.  
- **Automotive and Industrial Applications:** Designed for reliability in harsh environments.  

This information is based solely on ROHM's official specifications for the **IMT2AT108**.