General purpose (dual transistors) The IMT4T108 is a high-speed switching diode manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ROHM Semiconductor  
- **Part Number:** IMT4T108  
- **Type:** High-speed switching diode  
- **Package:** SOD-323 (Miniature surface-mount package)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 100mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 1A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (VF):** 1V (typical at 10mA)  
- **Reverse Current (IR):** 0.1µA (typical at VR = 20V)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low capacitance and fast reverse recovery time for improved efficiency in high-frequency circuits.  
- Suitable for use in signal processing, rectification, and protection circuits.  

### **Features:**  
- **High-speed switching performance** (4ns reverse recovery time).  
- **Low forward voltage** for reduced power loss.  
- **Miniature SOD-323 package** for space-saving PCB designs.  
- **High reliability** with RoHS compliance.  

For further details, refer to the official ROHM datasheet.