YI ELECTRONIC CO., LTD. - MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The IN5817 is a Schottky barrier diode manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (Io):** 1 A  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 30 A  
- **Maximum Reverse Voltage (Vr):** 20 V  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 0.45 V (typical) at 1 A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 0.5 mA (max) at 20 V  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C  

### **Descriptions:**  
- The IN5817 is a high-efficiency rectifier diode designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It is commonly used in power supply circuits, DC-DC converters, and reverse polarity protection.  
- The Schottky barrier construction ensures fast switching and low forward voltage drop.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability:** Withstands transient overloads.  
- **Compact Package:** Available in DO-41 or similar through-hole packages.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.