YI ELECTRONIC CO., LTD. - MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The IN5822 is a Schottky barrier rectifier diode manufactured by ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 3 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 80 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (at 3 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (at 40 V)  
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -65°C to +125°C  
- **Package:** DO-201AD (Axial Lead)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low forward voltage drop reduces power loss.  
- **Fast Switching:** Schottky design ensures quick recovery time.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient conditions.  
- **Reliable Performance:** Robust construction for stable operation.  
- **Applications:** Power supplies, reverse polarity protection, DC-DC converters, and freewheeling diodes.  

This information is based solely on the technical specifications provided by ON Semiconductor for the IN5822 diode.

YI ELECTRONIC CO., LTD. - MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The IN5822 is a Schottky diode manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Diode Type:** Schottky  
- **Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM):** 40 V  
- **Average Rectified Forward Current (IO):** 3 A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (at 3 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (at 40 V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +125°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IN5822 is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It is commonly used in power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures minimal power loss.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency applications.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance in a wide temperature range.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the IN5822 Schottky diode.

YI ELECTRONIC CO., LTD. - MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER The IN5822 is a rectifier diode manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 3A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 80A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (typical at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (max at VR = 40V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +125°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IN5822 is a high-efficiency Schottky barrier rectifier diode designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It is commonly used in power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Low Power Loss:** Improves thermal performance.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the IN5822 rectifier diode.