Low Voltage MOSFETs The IPD04N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPD04N03LA  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IPD04N03LA is a low-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Optimized for automotive and industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPD04N03LA.

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