N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF230 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRF230 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high efficiency in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF230 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF230 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for fast switching and low on-resistance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Input Impedance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package (Through-Hole Mounting)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF230 is a power MOSFET manufactured by RCA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** RCA  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- The IRF230 is a high-voltage, N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is designed with ruggedness and reliability, capable of handling high current and voltage levels.  
- It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, inverters, and amplifiers.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal management.  

This information is based on historical RCA documentation for the IRF230 MOSFET.

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V The IRF230 is a power MOSFET manufactured by **SILICONIX** (now part of Vishay Siliconix). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF230 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and switching regulators.

### **Features:**
- **High voltage capability (200V)**  
- **Low on-resistance (0.3Ω max)**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Low gate charge**  
- **TO-220AB package for easy mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 12A/ 150-200 V