30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF3709ZCL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications.  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package