N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF513 is a power MOSFET manufactured by MOSPEC Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.74Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Description:**  
The IRF513 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and amplification circuits due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (0.74Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

These specifications are based on MOSPEC's datasheet for the IRF513.

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF513 is a power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.74Ω (at V_GS = 10V, I_D = 4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**
The IRF513 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and amplifiers due to its low on-resistance and fast switching characteristics.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 100V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Can handle high pulsed currents.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF513 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.74Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5.6A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
- The IRF513 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching and power amplification applications.  
- It is housed in a TO-220 package, providing efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

These details are sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V