A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ST package rated at 72 amperes. The IRF6626TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 83W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF6626TR1PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous rectification in buck converters  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  
- **Pin Count:** 3  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.