A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes. The IRF6628 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6628  

### **Description:**  
The IRF6628 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 140A (at 25°C)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** 1.7mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg):** 130nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **100% Rg and UIS Tested**  
- **TO-220 Package**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  

### **Additional Notes:**  
- Designed for high-current, low-loss switching applications.  
- Suitable for high-frequency operation due to low gate charge.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.