A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes. The IRF6629TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6629TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263-3)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF6629TRPBF.