A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 57 amperes. The IRF6631TR1PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6631TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6631TR1PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 6.0mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, synchronous rectification, and motor drive circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed and updated specifications.)