RoHS Compliant The IRF6633APBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF6633APBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 5.5mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 24nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 4.5V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1620pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 540pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Pin Configuration:** Standard (Gate, Drain, Source)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly factual and based on the manufacturer's datasheet.