Leaded A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes. The IRF6635TR1 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF6635TR1 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 110A (continuous) at 25°C  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.7 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Fast Switching Speed:** Low gate charge (Qg) and low input/output capacitances  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and automotive systems  
- Synchronous rectification  

This information is sourced from Infineon's official datasheets and product documentation.