A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 52 amperes. The IRF6637TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Part Number:**  
IRF6637TR1PBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PQFN 5x6 (PowerQFN)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Yes  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Optimized for high-current switching applications  
- Fast switching performance  
- Low gate charge (Q_g) for reduced drive losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and industrial systems  
- Synchronous rectification  

This MOSFET is designed for high-performance power switching applications where efficiency and thermal management are critical.

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 52 amperes. The IRF6637TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRF6637TR1PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Package:** PQFN 5x6  

### **Descriptions:**  
- The IRF6637TR1PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-state resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for high-current switching applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.