A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes. The IRF6638TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6638TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6638TR1PBF is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, power management, and motor control applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 60nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and high-efficiency switching applications.