A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 180 amperes. The IRF6638TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6638TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  

### **Package:**  
- **Package Type:** PQFN (5x6mm)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Synchronous rectification  

This MOSFET is designed for high-current, low-voltage applications requiring efficient power handling.