A 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 26 amperes. The IRF6641 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the provided knowledge base:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IRF6641 Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF6641 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced TrenchFET® Technology** for low R_DS(on)  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced switching losses  
- **100% R_g and UIS Tested**  

### **Package Type:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.