A 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MN package rated at 60 amperes. The IRF6644TR1PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6644TR1PBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  
- Optimized for low gate charge and low on-resistance  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Package Type:** D²PAK (TO-263-3)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Switching regulators  
- Automotive systems  

This information is sourced from Infineon Technologies' official datasheet for the IRF6644TR1PBF.