A 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SJ package rated at 25 amperes. The IRF6645TR1PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF6645TR1PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.065Ω (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.085Ω (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 870pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 49ns  
- **Rise Time (t_r):** 13ns  
- **Fall Time (t_f):** 9ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The IRF6645TR1PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for 175°C Operation** for high-temperature reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Optimized Gate Charge (Q_g)** for reduced switching losses.  

This MOSFET is commonly used in power conversion, automotive, and industrial applications.