Leaded A 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MN package rated at 68 amperes. The IRF6646TR1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6646TR1  

### **Description:**  
The IRF6646TR1 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.033Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 27nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.