A 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MN package rated at 68 amperes. The **IRF6646TR1PBF** is a Power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Category:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Package:** D2PAK (TO-263-3)  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.7J  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  

### **Descriptions & Features:**
- **Advanced Process Technology:** Uses Infineon’s proprietary HEXFET® MOSFET technology for low R_DS(on) and high efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 120A continuous drain current, making it suitable for high-power applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses, improving thermal performance.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, DC-DC converters, and high-current switching applications**.