A Digital Audio 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SH package rated at 19 amperes. The IRF6665TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating:** Improves reliability in hard-switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.