A Digital Audio 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SH package rated at 19 amperes. The IRF6665TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6665TRPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  
- Optimized for low on-resistance and fast switching performance  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 250W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-220AB package  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in industrial and automotive systems  
- High-current switching circuits  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6665TRPBF.