A 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 55 amperes. The IRF6668TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6668TRPBF  

### **Description:**  
The IRF6668TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.