Leaded A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with integrated monolithic Schottky diode in a DirectFET MT package rated at 180 amperes. The IRF6691TR1 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF6691TR1 is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 46A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 180A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for high-frequency applications  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.