A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET S1 package rated at 12 amperes optimized with low on resistance. The IRF6710S2TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.018Ω @ 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.