A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. The IRF6712STRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6712STRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  

### **Package:**  
TO-263-3 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control applications  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor drives  
- Power management in automotive and industrial systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. The IRF6712STRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF6712STRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions and Features:**
- **Technology:** Advanced HEXFET® MOSFET technology for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low R_DS(on):** Optimized for minimal power dissipation in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for improved reliability in harsh conditions.  
- **Applications:** Suitable for DC-DC converters, motor control, power management, and other high-performance switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power electronics where high current handling and efficiency are required.