A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 22 amperes optimized with low on resistance. The IRF6713STRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6713STRPBF  

### **Description:**  
The IRF6713STRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3 mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 40nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Battery Management Systems  
- Synchronous Rectification  

This MOSFET is RoHS compliant and designed for high-performance power switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)