A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 39 amperes optimized with low on resistance. The IRF6716MTR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6716MTR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6716MTR1PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified for ruggedness  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product specifications.