A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 38 amperes optimized with low on resistance. The IRF6717MTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6717MTRPBF  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 50A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at T_C = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Optimized for high-current applications  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- PQFN package for improved thermal performance  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for precise specifications.)