A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L6 package rated at 61 amperes optimized with low on resistance. The IRF6718L2TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IRF)  

### **Part Number:**  
IRF6718L2TR1PBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 1.8mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PQFN (5x6mm)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching  
- Low gate charge (Q_g) for reduced switching losses  
- Avalanche energy rated  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and industrial systems  
- Synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.