A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 36 amperes optimized with low on resistance. **Manufacturer:** Infineon Technologies  

**Part Number:** IRF6797MTRPBF  

**Description:**  
The IRF6797MTRPBF is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 2.3mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  

**Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

**Package:** PQFN 5x6mm (PowerQFN)  

**Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor drives  
- Power supplies  
- Battery management systems  
- Load switches  

This MOSFET is optimized for high-power, high-efficiency applications where thermal performance and power density are critical.