HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode The IRF6798MTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6798MTRPBF  

### **Description:**  
The IRF6798MTRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in applications such as DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

(Note: All details are based on manufacturer datasheets and publicly available specifications.)