20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7101 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 20ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Description:**
The IRF7101 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Logic-level gate drive compatibility  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.