20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7101TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7101TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) – 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
The IRF7101TR is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is commonly used in power management, DC-DC converters, and load switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- Low gate charge  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet.