20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7101TRPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET MOSFET technology  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness and reliability  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.