20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7101TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7101TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7101TRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency in high-frequency applications  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** SO-8 (Small Outline-8)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7101TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7101TRPBF  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 95pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.