50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7103QTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Transistor Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS:**  
  - 0.027Ω @ 10V  
  - 0.035Ω @ 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min) – 2V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions:**  
- A high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced directly from Infineon's datasheet for the IRF7103QTRPBF.

50V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7103QTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** DPAK (TO-252)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Advanced Process Technology  
- Low On-Resistance  
- Fast Switching Speed  
- Improved dv/dt Capability  
- Lead-Free & RoHS Compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.