-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7104 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- The IRF7104 is a high-speed N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for low gate drive requirements, enhancing performance in switching power supplies and motor control circuits.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal dissipation.  
- It is RoHS compliant, meeting environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.