-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7104TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET (HEXFET®)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** DPAK (TO-252)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Logic-level gate drive capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Switching regulators  
- Load switching  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF7104TR.