N-Channel Power MOSFETs/ 2.25A/ 350-400V The IRF711 is a power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 60pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF711 is an N-Channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and amplification circuits due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Input Impedance:** Allows for easy gate drive control.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and historical records. For precise applications, always refer to the latest official documentation.