N-Channel Power MOSFETs/ 2.25A/ 350-400V The IRF713 is a power MOSFET manufactured by KOREA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** KOREA  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-220AB package for efficient heat dissipation.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

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