-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7207 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting for easy assembly.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.