400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF720S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  
### **Description:**  
The IRF720S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® power MOSFET family, known for efficiency and reliability in power management.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 12.8A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 120pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typ)  
### **Features:**  
- **HEXFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting for easy assembly.  
### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.