400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF720SPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF720SPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power management, motor control, and other high-voltage applications.  
- The device features fast switching speeds and low gate charge.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 400V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.