-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7233TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7233TR  

### **Description:**  
The IRF7233TR is a dual N-channel power MOSFET in a single package, designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Contains two N-channel MOSFETs in one package.  
- **Voltage Rating:** 30V (Drain-to-Source, VDS).  
- **Current Rating:** 13A (Continuous Drain Current, ID) per channel.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 0.028Ω (max) at VGS = 10V.  
  - 0.035Ω (max) at VGS = 4.5V.  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max).  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Package Type:** SO-8 (Surface Mount).  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Improves switching efficiency.  

### **Applications:**  
- Synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Motor control circuits.  
- Power management in computing and telecom systems.  
- High-efficiency switching power supplies.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.