5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF730 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF730 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits. The device features low gate charge, fast switching speeds, and robust performance in high-voltage environments.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low On-Resistance (1.0Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.