30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7303 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The IRF7303 is a **N-channel** power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It is optimized for **switching power supplies, motor control, and DC-DC converters**.  
- The device is housed in a **TO-263 (D2PAK)** package for efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** for reliable performance in various conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For precise application-specific information, always refer to the official IRF7303 datasheet.