30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7303QTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7303QTRPBF  

### **Description:**  
The IRF7303QTRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation in switching circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Dual N-channel MOSFET in a single package  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for synchronous buck converters and motor control applications  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 3x3 (Power Quad Flat No-Lead)  
- **Pin Count:** 8  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7303QTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7303QTRPBF  
- **Technology:** MOSFET, N-Channel  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 40A (continuous) at 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W at 25°C  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  

### **Description:**  
The IRF7303QTRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high current handling capability. It is optimized for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (40A continuous)  
- Fast switching performance  
- Optimized for high-frequency applications  
- Lead-free and RoHS compliant  
- PQFN package for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.